IPB114N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
Artikelnummer
IPB114N03L G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
38W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21736 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB114N03L G
IPB114N03L G Elektroniska komponenter
IPB114N03L G Försäljning
IPB114N03L G Leverantör
IPB114N03L G Distributör
IPB114N03L G Datatabell
IPB114N03L G Foton
IPB114N03L G Pris
IPB114N03L G Erbjudande
IPB114N03L G Lägsta pris
IPB114N03L G Sök
IPB114N03L G Köp av
IPB114N03L G Chip