IPB108N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
Artikelnummer
IPB108N15N3GATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
214W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
83A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10.8 mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 160µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3230pF @ 75V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54337 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB108N15N3GATMA1
IPB108N15N3GATMA1 Elektroniska komponenter
IPB108N15N3GATMA1 Försäljning
IPB108N15N3GATMA1 Leverantör
IPB108N15N3GATMA1 Distributör
IPB108N15N3GATMA1 Datatabell
IPB108N15N3GATMA1 Foton
IPB108N15N3GATMA1 Pris
IPB108N15N3GATMA1 Erbjudande
IPB108N15N3GATMA1 Lägsta pris
IPB108N15N3GATMA1 Sök
IPB108N15N3GATMA1 Köp av
IPB108N15N3GATMA1 Chip