IPB100N06S3L-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
Artikelnummer
IPB100N06S3L-03
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 230µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
550nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
26240pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53327 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB100N06S3L-03
IPB100N06S3L-03 Elektroniska komponenter
IPB100N06S3L-03 Försäljning
IPB100N06S3L-03 Leverantör
IPB100N06S3L-03 Distributör
IPB100N06S3L-03 Datatabell
IPB100N06S3L-03 Foton
IPB100N06S3L-03 Pris
IPB100N06S3L-03 Erbjudande
IPB100N06S3L-03 Lägsta pris
IPB100N06S3L-03 Sök
IPB100N06S3L-03 Köp av
IPB100N06S3L-03 Chip