IPAN65R650CEXKSA1
MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
Artikelnummer
IPAN65R650CEXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220 Full Pack
Effektförlust (max)
28W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38821 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPAN65R650CEXKSA1
IPAN65R650CEXKSA1 Elektroniska komponenter
IPAN65R650CEXKSA1 Försäljning
IPAN65R650CEXKSA1 Leverantör
IPAN65R650CEXKSA1 Distributör
IPAN65R650CEXKSA1 Datatabell
IPAN65R650CEXKSA1 Foton
IPAN65R650CEXKSA1 Pris
IPAN65R650CEXKSA1 Erbjudande
IPAN65R650CEXKSA1 Lägsta pris
IPAN65R650CEXKSA1 Sök
IPAN65R650CEXKSA1 Köp av
IPAN65R650CEXKSA1 Chip