BUZ30A
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
Artikelnummer
BUZ30A
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49340 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BUZ30A
BUZ30A Elektroniska komponenter
BUZ30A Försäljning
BUZ30A Leverantör
BUZ30A Distributör
BUZ30A Datatabell
BUZ30A Foton
BUZ30A Pris
BUZ30A Erbjudande
BUZ30A Lägsta pris
BUZ30A Sök
BUZ30A Köp av
BUZ30A Chip