BSZ22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Artikelnummer
BSZ22DN20NS3GATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TSDSON-8
Effektförlust (max)
34W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
225 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 13µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
430pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21634 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSZ22DN20NS3GATMA1
BSZ22DN20NS3GATMA1 Elektroniska komponenter
BSZ22DN20NS3GATMA1 Försäljning
BSZ22DN20NS3GATMA1 Leverantör
BSZ22DN20NS3GATMA1 Distributör
BSZ22DN20NS3GATMA1 Datatabell
BSZ22DN20NS3GATMA1 Foton
BSZ22DN20NS3GATMA1 Pris
BSZ22DN20NS3GATMA1 Erbjudande
BSZ22DN20NS3GATMA1 Lägsta pris
BSZ22DN20NS3GATMA1 Sök
BSZ22DN20NS3GATMA1 Köp av
BSZ22DN20NS3GATMA1 Chip