BSZ100N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Artikelnummer
BSZ100N03LSGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TSDSON-8
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 30W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36126 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSZ100N03LSGATMA1
BSZ100N03LSGATMA1 Elektroniska komponenter
BSZ100N03LSGATMA1 Försäljning
BSZ100N03LSGATMA1 Leverantör
BSZ100N03LSGATMA1 Distributör
BSZ100N03LSGATMA1 Datatabell
BSZ100N03LSGATMA1 Foton
BSZ100N03LSGATMA1 Pris
BSZ100N03LSGATMA1 Erbjudande
BSZ100N03LSGATMA1 Lägsta pris
BSZ100N03LSGATMA1 Sök
BSZ100N03LSGATMA1 Köp av
BSZ100N03LSGATMA1 Chip