BSO615NGHUMA1
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Artikelnummer
BSO615NGHUMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2W
Leverantörsenhetspaket
PG-DSO-8
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.6A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15349 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSO615NGHUMA1
BSO615NGHUMA1 Elektroniska komponenter
BSO615NGHUMA1 Försäljning
BSO615NGHUMA1 Leverantör
BSO615NGHUMA1 Distributör
BSO615NGHUMA1 Datatabell
BSO615NGHUMA1 Foton
BSO615NGHUMA1 Pris
BSO615NGHUMA1 Erbjudande
BSO615NGHUMA1 Lägsta pris
BSO615NGHUMA1 Sök
BSO615NGHUMA1 Köp av
BSO615NGHUMA1 Chip