BSO612CVGHUMA1
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Artikelnummer
BSO612CVGHUMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2W
Leverantörsenhetspaket
PG-DSO-8
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A, 2A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51404 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSO612CVGHUMA1
BSO612CVGHUMA1 Elektroniska komponenter
BSO612CVGHUMA1 Försäljning
BSO612CVGHUMA1 Leverantör
BSO612CVGHUMA1 Distributör
BSO612CVGHUMA1 Datatabell
BSO612CVGHUMA1 Foton
BSO612CVGHUMA1 Pris
BSO612CVGHUMA1 Erbjudande
BSO612CVGHUMA1 Lägsta pris
BSO612CVGHUMA1 Sök
BSO612CVGHUMA1 Köp av
BSO612CVGHUMA1 Chip