BSG0810NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Artikelnummer
BSG0810NDIATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 155°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Effekt - Max
2.5W
Leverantörsenhetspaket
PG-TISON-8
FET typ
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-funktioner
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A, 39A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1040pF @ 12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41861 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSG0810NDIATMA1
BSG0810NDIATMA1 Elektroniska komponenter
BSG0810NDIATMA1 Försäljning
BSG0810NDIATMA1 Leverantör
BSG0810NDIATMA1 Distributör
BSG0810NDIATMA1 Datatabell
BSG0810NDIATMA1 Foton
BSG0810NDIATMA1 Pris
BSG0810NDIATMA1 Erbjudande
BSG0810NDIATMA1 Lägsta pris
BSG0810NDIATMA1 Sök
BSG0810NDIATMA1 Köp av
BSG0810NDIATMA1 Chip