BSC900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
Artikelnummer
BSC900N20NS3GATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8
Effektförlust (max)
62.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 30µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
920pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27436 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSC900N20NS3GATMA1
BSC900N20NS3GATMA1 Elektroniska komponenter
BSC900N20NS3GATMA1 Försäljning
BSC900N20NS3GATMA1 Leverantör
BSC900N20NS3GATMA1 Distributör
BSC900N20NS3GATMA1 Datatabell
BSC900N20NS3GATMA1 Foton
BSC900N20NS3GATMA1 Pris
BSC900N20NS3GATMA1 Erbjudande
BSC900N20NS3GATMA1 Lägsta pris
BSC900N20NS3GATMA1 Sök
BSC900N20NS3GATMA1 Köp av
BSC900N20NS3GATMA1 Chip