Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
BSC009NE2LS5IATMA1

BSC009NE2LS5IATMA1

MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND
Artikelnummer
BSC009NE2LS5IATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Ta), 100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
0.95 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 12V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26736 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av BSC009NE2LS5IATMA1
BSC009NE2LS5IATMA1 Elektroniska komponenter
BSC009NE2LS5IATMA1 Försäljning
BSC009NE2LS5IATMA1 Leverantör
BSC009NE2LS5IATMA1 Distributör
BSC009NE2LS5IATMA1 Datatabell
BSC009NE2LS5IATMA1 Foton
BSC009NE2LS5IATMA1 Pris
BSC009NE2LS5IATMA1 Erbjudande
BSC009NE2LS5IATMA1 Lägsta pris
BSC009NE2LS5IATMA1 Sök
BSC009NE2LS5IATMA1 Köp av
BSC009NE2LS5IATMA1 Chip