BSB165N15NZ3GXUMA1
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
Artikelnummer
BSB165N15NZ3GXUMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
3-WDSON
Leverantörsenhetspaket
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Ta), 45A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 110µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 75V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31033 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSB165N15NZ3GXUMA1
BSB165N15NZ3GXUMA1 Elektroniska komponenter
BSB165N15NZ3GXUMA1 Försäljning
BSB165N15NZ3GXUMA1 Leverantör
BSB165N15NZ3GXUMA1 Distributör
BSB165N15NZ3GXUMA1 Datatabell
BSB165N15NZ3GXUMA1 Foton
BSB165N15NZ3GXUMA1 Pris
BSB165N15NZ3GXUMA1 Erbjudande
BSB165N15NZ3GXUMA1 Lägsta pris
BSB165N15NZ3GXUMA1 Sök
BSB165N15NZ3GXUMA1 Köp av
BSB165N15NZ3GXUMA1 Chip