GP1M018A020CG
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Artikelnummer
GP1M018A020CG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
94W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20047 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M018A020CG
GP1M018A020CG Elektroniska komponenter
GP1M018A020CG Försäljning
GP1M018A020CG Leverantör
GP1M018A020CG Distributör
GP1M018A020CG Datatabell
GP1M018A020CG Foton
GP1M018A020CG Pris
GP1M018A020CG Erbjudande
GP1M018A020CG Lägsta pris
GP1M018A020CG Sök
GP1M018A020CG Köp av
GP1M018A020CG Chip