GP1M003A050HG
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
Artikelnummer
GP1M003A050HG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
52.1W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
395pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46065 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M003A050HG
GP1M003A050HG Elektroniska komponenter
GP1M003A050HG Försäljning
GP1M003A050HG Leverantör
GP1M003A050HG Distributör
GP1M003A050HG Datatabell
GP1M003A050HG Foton
GP1M003A050HG Pris
GP1M003A050HG Erbjudande
GP1M003A050HG Lägsta pris
GP1M003A050HG Sök
GP1M003A050HG Köp av
GP1M003A050HG Chip