Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
GP1M016A060F

GP1M016A060F

MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
Artikelnummer
GP1M016A060F
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Effektförlust (max)
48W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
470 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3039pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45973 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av GP1M016A060F
GP1M016A060F Elektroniska komponenter
GP1M016A060F Försäljning
GP1M016A060F Leverantör
GP1M016A060F Distributör
GP1M016A060F Datatabell
GP1M016A060F Foton
GP1M016A060F Pris
GP1M016A060F Erbjudande
GP1M016A060F Lägsta pris
GP1M016A060F Sök
GP1M016A060F Köp av
GP1M016A060F Chip