GP1M010A080N
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
Artikelnummer
GP1M010A080N
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3PN
Effektförlust (max)
312W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2336pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53973 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M010A080N
GP1M010A080N Elektroniska komponenter
GP1M010A080N Försäljning
GP1M010A080N Leverantör
GP1M010A080N Distributör
GP1M010A080N Datatabell
GP1M010A080N Foton
GP1M010A080N Pris
GP1M010A080N Erbjudande
GP1M010A080N Lägsta pris
GP1M010A080N Sök
GP1M010A080N Köp av
GP1M010A080N Chip