GP1M009A090H
MOSFET N-CH 900V 9A TO220
Artikelnummer
GP1M009A090H
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
290W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2324pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29634 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M009A090H
GP1M009A090H Elektroniska komponenter
GP1M009A090H Försäljning
GP1M009A090H Leverantör
GP1M009A090H Distributör
GP1M009A090H Datatabell
GP1M009A090H Foton
GP1M009A090H Pris
GP1M009A090H Erbjudande
GP1M009A090H Lägsta pris
GP1M009A090H Sök
GP1M009A090H Köp av
GP1M009A090H Chip