GP1M009A070F
MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
Artikelnummer
GP1M009A070F
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Effektförlust (max)
52W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
700V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1944pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31199 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M009A070F
GP1M009A070F Elektroniska komponenter
GP1M009A070F Försäljning
GP1M009A070F Leverantör
GP1M009A070F Distributör
GP1M009A070F Datatabell
GP1M009A070F Foton
GP1M009A070F Pris
GP1M009A070F Erbjudande
GP1M009A070F Lägsta pris
GP1M009A070F Sök
GP1M009A070F Köp av
GP1M009A070F Chip