GP1M009A050FSH
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F
Artikelnummer
GP1M009A050FSH
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Effektförlust (max)
39W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1195pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30814 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M009A050FSH
GP1M009A050FSH Elektroniska komponenter
GP1M009A050FSH Försäljning
GP1M009A050FSH Leverantör
GP1M009A050FSH Distributör
GP1M009A050FSH Datatabell
GP1M009A050FSH Foton
GP1M009A050FSH Pris
GP1M009A050FSH Erbjudande
GP1M009A050FSH Lägsta pris
GP1M009A050FSH Sök
GP1M009A050FSH Köp av
GP1M009A050FSH Chip