GP1M009A020HG
MOSFET N-CH 200V 9A TO220
Artikelnummer
GP1M009A020HG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
52W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
414pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46297 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M009A020HG
GP1M009A020HG Elektroniska komponenter
GP1M009A020HG Försäljning
GP1M009A020HG Leverantör
GP1M009A020HG Distributör
GP1M009A020HG Datatabell
GP1M009A020HG Foton
GP1M009A020HG Pris
GP1M009A020HG Erbjudande
GP1M009A020HG Lägsta pris
GP1M009A020HG Sök
GP1M009A020HG Köp av
GP1M009A020HG Chip