GP1M009A020CG
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Artikelnummer
GP1M009A020CG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
52W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
414pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30516 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M009A020CG
GP1M009A020CG Elektroniska komponenter
GP1M009A020CG Försäljning
GP1M009A020CG Leverantör
GP1M009A020CG Distributör
GP1M009A020CG Datatabell
GP1M009A020CG Foton
GP1M009A020CG Pris
GP1M009A020CG Erbjudande
GP1M009A020CG Lägsta pris
GP1M009A020CG Sök
GP1M009A020CG Köp av
GP1M009A020CG Chip