GP1M008A080FH
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Artikelnummer
GP1M008A080FH
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Effektförlust (max)
40.3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1921pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50427 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M008A080FH
GP1M008A080FH Elektroniska komponenter
GP1M008A080FH Försäljning
GP1M008A080FH Leverantör
GP1M008A080FH Distributör
GP1M008A080FH Datatabell
GP1M008A080FH Foton
GP1M008A080FH Pris
GP1M008A080FH Erbjudande
GP1M008A080FH Lägsta pris
GP1M008A080FH Sök
GP1M008A080FH Köp av
GP1M008A080FH Chip