GP1M008A025FG
MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
Artikelnummer
GP1M008A025FG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Effektförlust (max)
17.3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
423pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27379 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M008A025FG
GP1M008A025FG Elektroniska komponenter
GP1M008A025FG Försäljning
GP1M008A025FG Leverantör
GP1M008A025FG Distributör
GP1M008A025FG Datatabell
GP1M008A025FG Foton
GP1M008A025FG Pris
GP1M008A025FG Erbjudande
GP1M008A025FG Lägsta pris
GP1M008A025FG Sök
GP1M008A025FG Köp av
GP1M008A025FG Chip