GP1M008A025CG
MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
Artikelnummer
GP1M008A025CG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
52W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
423pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43343 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M008A025CG
GP1M008A025CG Elektroniska komponenter
GP1M008A025CG Försäljning
GP1M008A025CG Leverantör
GP1M008A025CG Distributör
GP1M008A025CG Datatabell
GP1M008A025CG Foton
GP1M008A025CG Pris
GP1M008A025CG Erbjudande
GP1M008A025CG Lägsta pris
GP1M008A025CG Sök
GP1M008A025CG Köp av
GP1M008A025CG Chip