GP1M006A065FH
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
Artikelnummer
GP1M006A065FH
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Effektförlust (max)
39W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1177pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39461 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M006A065FH
GP1M006A065FH Elektroniska komponenter
GP1M006A065FH Försäljning
GP1M006A065FH Leverantör
GP1M006A065FH Distributör
GP1M006A065FH Datatabell
GP1M006A065FH Foton
GP1M006A065FH Pris
GP1M006A065FH Erbjudande
GP1M006A065FH Lägsta pris
GP1M006A065FH Sök
GP1M006A065FH Köp av
GP1M006A065FH Chip