GP1M006A065CH
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Artikelnummer
GP1M006A065CH
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
120W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1177pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7547 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M006A065CH
GP1M006A065CH Elektroniska komponenter
GP1M006A065CH Försäljning
GP1M006A065CH Leverantör
GP1M006A065CH Distributör
GP1M006A065CH Datatabell
GP1M006A065CH Foton
GP1M006A065CH Pris
GP1M006A065CH Erbjudande
GP1M006A065CH Lägsta pris
GP1M006A065CH Sök
GP1M006A065CH Köp av
GP1M006A065CH Chip