GP1M005A050PH
MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
Artikelnummer
GP1M005A050PH
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
92.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.65 Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
627pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22205 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M005A050PH
GP1M005A050PH Elektroniska komponenter
GP1M005A050PH Försäljning
GP1M005A050PH Leverantör
GP1M005A050PH Distributör
GP1M005A050PH Datatabell
GP1M005A050PH Foton
GP1M005A050PH Pris
GP1M005A050PH Erbjudande
GP1M005A050PH Lägsta pris
GP1M005A050PH Sök
GP1M005A050PH Köp av
GP1M005A050PH Chip