GP1M003A090C
MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
Artikelnummer
GP1M003A090C
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
94W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
748pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10851 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M003A090C
GP1M003A090C Elektroniska komponenter
GP1M003A090C Försäljning
GP1M003A090C Leverantör
GP1M003A090C Distributör
GP1M003A090C Datatabell
GP1M003A090C Foton
GP1M003A090C Pris
GP1M003A090C Erbjudande
GP1M003A090C Lägsta pris
GP1M003A090C Sök
GP1M003A090C Köp av
GP1M003A090C Chip