GP1M003A080CH
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Artikelnummer
GP1M003A080CH
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
94W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
696pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35525 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP1M003A080CH
GP1M003A080CH Elektroniska komponenter
GP1M003A080CH Försäljning
GP1M003A080CH Leverantör
GP1M003A080CH Distributör
GP1M003A080CH Datatabell
GP1M003A080CH Foton
GP1M003A080CH Pris
GP1M003A080CH Erbjudande
GP1M003A080CH Lägsta pris
GP1M003A080CH Sök
GP1M003A080CH Köp av
GP1M003A080CH Chip