GA50JT06-258
TRANS SJT 600V 100A
Artikelnummer
GA50JT06-258
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Driftstemperatur
-55°C ~ 225°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-258-3, TO-258AA
Leverantörsenhetspaket
TO-258
Effektförlust (max)
769W (Tc)
FET typ
-
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 50A
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45829 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GA50JT06-258
GA50JT06-258 Elektroniska komponenter
GA50JT06-258 Försäljning
GA50JT06-258 Leverantör
GA50JT06-258 Distributör
GA50JT06-258 Datatabell
GA50JT06-258 Foton
GA50JT06-258 Pris
GA50JT06-258 Erbjudande
GA50JT06-258 Lägsta pris
GA50JT06-258 Sök
GA50JT06-258 Köp av
GA50JT06-258 Chip