GA20JT12-263
TRANS SJT 1200V 45A
Artikelnummer
GA20JT12-263
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Leverantörsenhetspaket
D2PAK (7-Lead)
Effektförlust (max)
282W (Tc)
FET typ
-
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 20A
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3091pF @ 800V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22669 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GA20JT12-263
GA20JT12-263 Elektroniska komponenter
GA20JT12-263 Försäljning
GA20JT12-263 Leverantör
GA20JT12-263 Distributör
GA20JT12-263 Datatabell
GA20JT12-263 Foton
GA20JT12-263 Pris
GA20JT12-263 Erbjudande
GA20JT12-263 Lägsta pris
GA20JT12-263 Sök
GA20JT12-263 Köp av
GA20JT12-263 Chip