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EPC2110ENGRT
Datablad

EPC2110ENGRT

TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2110ENGRT
Tillverkare/varumärke
EPC
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Effekt - Max
-
Leverantörsenhetspaket
Die
FET typ
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-funktioner
GaNFET (Gallium Nitride)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
120V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.4A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 60V
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