Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2001C

EPC2001C

TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2001C
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die Outline (11-Solder Bar)
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49253 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC2001C
EPC2001C Elektroniska komponenter
EPC2001C Försäljning
EPC2001C Leverantör
EPC2001C Distributör
EPC2001C Datatabell
EPC2001C Foton
EPC2001C Pris
EPC2001C Erbjudande
EPC2001C Lägsta pris
EPC2001C Sök
EPC2001C Köp av
EPC2001C Chip