EPC
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EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2108ENGRT
Tillverkare/varumärke
EPC
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
9-VFBGA
Effekt - Max
-
Leverantörsenhetspaket
9-BGA (1.35x1.35)
FET typ
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-funktioner
GaNFET (Gallium Nitride)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V, 100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
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