Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2108

EPC2108

MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Artikelnummer
EPC2108
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
9-VFBGA
Effekt - Max
-
Leverantörsenhetspaket
9-BGA (1.35x1.35)
FET typ
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-funktioner
GaNFET (Gallium Nitride)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V, 100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7397 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC2108
EPC2108 Elektroniska komponenter
EPC2108 Försäljning
EPC2108 Leverantör
EPC2108 Distributör
EPC2108 Datatabell
EPC2108 Foton
EPC2108 Pris
EPC2108 Erbjudande
EPC2108 Lägsta pris
EPC2108 Sök
EPC2108 Köp av
EPC2108 Chip