EPC2107
MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA
Artikelnummer
EPC2107
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
9-VFBGA
Effekt - Max
-
Leverantörsenhetspaket
9-BGA (1.35x1.35)
FET typ
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-funktioner
GaNFET (Gallium Nitride)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52601 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av EPC2107
EPC2107 Elektroniska komponenter
EPC2107 Försäljning
EPC2107 Leverantör
EPC2107 Distributör
EPC2107 Datatabell
EPC2107 Foton
EPC2107 Pris
EPC2107 Erbjudande
EPC2107 Lägsta pris
EPC2107 Sök
EPC2107 Köp av
EPC2107 Chip