Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2105

EPC2105

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Artikelnummer
EPC2105
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Effekt - Max
-
Leverantörsenhetspaket
Die
FET typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktioner
GaNFET (Gallium Nitride)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.5A, 38A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41739 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC2105
EPC2105 Elektroniska komponenter
EPC2105 Försäljning
EPC2105 Leverantör
EPC2105 Distributör
EPC2105 Datatabell
EPC2105 Foton
EPC2105 Pris
EPC2105 Erbjudande
EPC2105 Lägsta pris
EPC2105 Sök
EPC2105 Köp av
EPC2105 Chip