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EPC2103ENGRT
Datablad

EPC2103ENGRT

TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
Artikelnummer
EPC2103ENGRT
Tillverkare/varumärke
EPC
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Effekt - Max
-
Leverantörsenhetspaket
Die
FET typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktioner
GaNFET (Gallium Nitride)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 40V
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