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EPC2102ENGRT
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EPC2102ENGRT

MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
Artikelnummer
EPC2102ENGRT
Tillverkare/varumärke
EPC
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Effekt - Max
-
Leverantörsenhetspaket
Die
FET typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktioner
GaNFET (Gallium Nitride)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Tj)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 30V
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