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EPC2101ENGRT
Datablad

EPC2101ENGRT

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Artikelnummer
EPC2101ENGRT
Tillverkare/varumärke
EPC
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Effekt - Max
-
Leverantörsenhetspaket
Die
FET typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktioner
GaNFET (Gallium Nitride)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.5A, 38A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 30V
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