Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2101

EPC2101

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Artikelnummer
EPC2101
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Effekt - Max
-
Leverantörsenhetspaket
Die
FET typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktioner
GaNFET (Gallium Nitride)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.5A, 38A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36331 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC2101
EPC2101 Elektroniska komponenter
EPC2101 Försäljning
EPC2101 Leverantör
EPC2101 Distributör
EPC2101 Datatabell
EPC2101 Foton
EPC2101 Pris
EPC2101 Erbjudande
EPC2101 Lägsta pris
EPC2101 Sök
EPC2101 Köp av
EPC2101 Chip