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EPC2100ENGRT
Datablad

EPC2100ENGRT

MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Artikelnummer
EPC2100ENGRT
Tillverkare/varumärke
EPC
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Effekt - Max
-
Leverantörsenhetspaket
Die
FET typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktioner
GaNFET (Gallium Nitride)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
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