Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2037
TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI
Artikelnummer
EPC2037
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 80µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.12nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52062 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av EPC2037
EPC2037 Elektroniska komponenter
EPC2037 Försäljning
EPC2037 Leverantör
EPC2037 Distributör
EPC2037 Datatabell
EPC2037 Foton
EPC2037 Pris
EPC2037 Erbjudande
EPC2037 Lägsta pris
EPC2037 Sök
EPC2037 Köp av
EPC2037 Chip