Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2036

EPC2036

TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2036
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 600µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.91nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
90pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22746 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC2036
EPC2036 Elektroniska komponenter
EPC2036 Försäljning
EPC2036 Leverantör
EPC2036 Distributör
EPC2036 Datatabell
EPC2036 Foton
EPC2036 Pris
EPC2036 Erbjudande
EPC2036 Lägsta pris
EPC2036 Sök
EPC2036 Köp av
EPC2036 Chip