Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2035

EPC2035

TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2035
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 800µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1.15nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
115pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50428 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC2035
EPC2035 Elektroniska komponenter
EPC2035 Försäljning
EPC2035 Leverantör
EPC2035 Distributör
EPC2035 Datatabell
EPC2035 Foton
EPC2035 Pris
EPC2035 Erbjudande
EPC2035 Lägsta pris
EPC2035 Sök
EPC2035 Köp av
EPC2035 Chip