Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2032

EPC2032

TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2032
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
48A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 11mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1530pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29301 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC2032
EPC2032 Elektroniska komponenter
EPC2032 Försäljning
EPC2032 Leverantör
EPC2032 Distributör
EPC2032 Datatabell
EPC2032 Foton
EPC2032 Pris
EPC2032 Erbjudande
EPC2032 Lägsta pris
EPC2032 Sök
EPC2032 Köp av
EPC2032 Chip