Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2030

EPC2030

MOSFET NCH 40V 31A DIE
Artikelnummer
EPC2030
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
-
Paket/fodral
-
Leverantörsenhetspaket
-
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 16mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40670 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC2030
EPC2030 Elektroniska komponenter
EPC2030 Försäljning
EPC2030 Leverantör
EPC2030 Distributör
EPC2030 Datatabell
EPC2030 Foton
EPC2030 Pris
EPC2030 Erbjudande
EPC2030 Lägsta pris
EPC2030 Sök
EPC2030 Köp av
EPC2030 Chip