Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2029

EPC2029

TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2029
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
48A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 12mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1410pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17748 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av EPC2029
EPC2029 Elektroniska komponenter
EPC2029 Försäljning
EPC2029 Leverantör
EPC2029 Distributör
EPC2029 Datatabell
EPC2029 Foton
EPC2029 Pris
EPC2029 Erbjudande
EPC2029 Lägsta pris
EPC2029 Sök
EPC2029 Köp av
EPC2029 Chip