Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
EPC2025
TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE
Artikelnummer
EPC2025
Tillverkare/varumärke
Serier
eGaN®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Die
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
194pF @ 240V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
+6V, -4V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42097 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av EPC2025
EPC2025 Elektroniska komponenter
EPC2025 Försäljning
EPC2025 Leverantör
EPC2025 Distributör
EPC2025 Datatabell
EPC2025 Foton
EPC2025 Pris
EPC2025 Erbjudande
EPC2025 Lägsta pris
EPC2025 Sök
EPC2025 Köp av
EPC2025 Chip